正规股票配资门户中国取得新芯片材料第一名，遥遥领先于美国同行，助力军工飞跃

随着全球芯片技术的竞争进入新的阶段，芯片技术的竞争已不仅限于工艺，而是全面性的竞争，日前外媒披露一则消息让国人大为鼓舞，那就是在第三代芯片材料方面已居于全球第一正规股票配资门户，远超欧美同行。

现有的芯片大多数都是基于硅基芯片技术，而全球都知道硅基芯片技术已日益接近天花板，强如台积电在硅基芯片工艺方面每前进一步都要付出巨大的代价，而且从14纳米工艺以来，台积电、Intel、这些芯片制造巨头就已放弃了原来的芯片工艺技术升级路径，而是等效工艺。

尤其是Intel自从10纳米工艺之后，已跟不上台积电的脚步，Intel就曾大力揭露台积电的10纳米及以下工艺都是等效工艺，而且这些工艺技术提升幅度逐渐放缓，从早期的每一代芯片工艺提升三成，到近几代的A系芯片仅能提升一成多。

为此全球在继续挖掘现有的硅基芯片潜力之外，已开始探索新的芯片技术、芯片材料等等，诸如光子芯片、量子芯片等技术的快速推进就是由此而来，而芯片材料也是发展新芯片技术的努力方向之一。

中国在14纳米工艺之后，受到众所周知的影响，难以获得EUV光刻机，而继续沿着现有的硅基芯片技术发展，对于中国来说面临的难度更大，EUV光刻机牵涉到诸多行业，仅是EUV光刻机就是一条非常庞大的产业链，据悉EUV光刻机需要10万多个部件，需要全球数十个国家的5000多家企业协作，如此中国在EUV光刻机的诸多行业都从零打造可见难度有多大。

为此中国更是积极发展先进芯片技术，在光子芯片、量子芯片技术方面，普遍认为中国已与美国居于第一阵营，双方在你追我赶地发展，由于技术保密的需要，很难说得清到底谁更占优势，毕竟只有这些芯片技术实现大规模商用之后才能真正看锝清。

在芯片材料方面如今则有分析机构指出中国企业已居于全球第一，那就是氮化镓（GaN）这种材料，氮化镓被认为是第三代芯片材料，它如今已得到广泛的应用，特别是在手机行业，氮化镓充电器广为知名。

在氮化镓材料行业，分析指出中国一家名为英诺赛科（Innoscience）的企业取得全球氮化镓材料市场三成的份额，位居其后的分别是Navitas、Power Integrations、EPC，这三家都是美国企业，占有的份额分别是17%、15.2%、13.5%，第四名则是欧洲的infineon(英飞凌）--份额为11.2%。

氮化镓除了在手机充电器上得到应用之外，还在新能源汽车、高铁等新兴科技行业得到广泛应用，正是由于中国在氮化镓材料方面取得的优势，推动了中国在这些新兴领域飞速发展，并且随着对氮化镓的研究不断深入，对民用科技将带来更有力的支持。

氮化镓材料除了在民用科技方面的应用之外，在军工技术方面更是起到巨大的作用，先进预警机、战机的雷达用上氮化镓可以将探测距离增加超过五成，还能应用于微波武器、电子对抗、防空系统、导弹制导等方面。